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BFR31LT1G
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BFR31LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:JFET晶体管
封装:SOT-23-3
描述:JFET放大器（ N沟道） JFET Amplifiers(N-Channel)
PDF文件:BFR31LT1G 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
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BFR31LT1G 数据手册 (4 页)
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BFR31LT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)25.0 V
额定电流1.00 mA
封装SOT-23-3
极性N-Channel
功耗300 mW
输入电容5.00 pF
漏源极电压(Vds)25 V
栅源击穿电压25.0 V
输入电容值(Ciss)5pF @10V(Vds)
额定功率(Max)225 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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BFR31LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BFR31LT1G 数据手册

BFR31LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.05 MByte
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