| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TSFP-3 |
| 极性 | N-Channel, NPN |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 6V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 10mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 14GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 60mW Description & Applications| NPN Silicon RF Transistor Preliminary data Low voltage/ low current operation Transition frequency of 14 GHz High insertion gain deal for low current amplifiers and oscillators 描述与应用| NPN硅RF晶体管 初步数据 低电压/低电流操作 过渡频率为14 GHz 高插入增 处理低电流放大器和振荡器
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INFINEON BFR340FH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, 90 hFE
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BFR340F NPN三极管 15V 10mA 14GHz 60~200 SOT-523 marking/标记 FA 低电流放大器和振荡器
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INFINEON BFR340L3E6327XTMA1 晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 60 mW, 10 mA, 90 hFE
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NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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INFINEON BFR 340F H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, 90 hFE
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INFINEON BFR 340L3 E6327 晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 60 mW, 10 mA, 90 hFE
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