| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 3.5 GHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PG-TSFP-3 |
| 额定功率 | 0.21 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 210 mW |
| 输入电容 | 0.4 pF |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 9 V |
| 增益 | 15.5 dB |
| 最小电流放大倍数 | 90 |
| 最大电流放大倍数 | 160 |
| 额定功率(Max) | 210 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 90 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 210 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 1.2 mm |
| 宽度 | 0.8 mm |
| 高度 | 0.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
射频双极晶体管，Infineon
●### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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INFINEON BFR360FH6765XTSA1 晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 120 hFE 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFR 360F H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
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NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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BFR360L3 NPN三极管 15V 35mA 14GHz 60~200 TSLP-3-1 marking/标记 FB 低噪声放大器
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晶体管 双极-射频, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
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