类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TSFP |
最小电流放大倍数 | 90 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 210 mW |
类型 | 描述 |
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长度 | 1.2 mm |
宽度 | 0.8 mm |
高度 | 0.55 mm |
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.56 MByte
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Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFR360FH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
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INFINEON BFR360FH6765XTSA1 晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 120 hFE 新
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INFINEON BFR 360F H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
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NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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BFR360L3 NPN三极管 15V 35mA 14GHz 60~200 TSLP-3-1 marking/标记 FB 低噪声放大器
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晶体管 双极-射频, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
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