集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 6V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 35mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 14GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 210mW/0.21W Description & Applications| NPN Silicon RF Transistor Low voltage/ Low current operation For low noise amplifiers For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm Low noise figure 描述与应用| NPN硅RF晶体管 低电压/低电流操作 对于低噪声放大器 对于振荡器高达3.5 GHz和功率输出>10 dBm的 低噪声系数
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NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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INFINEON BFR360FH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
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INFINEON BFR360FH6765XTSA1 晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 120 hFE 新
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INFINEON BFR 360F H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
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NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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BFR360L3 NPN三极管 15V 35mA 14GHz 60~200 TSLP-3-1 marking/标记 FB 低噪声放大器
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晶体管 双极-射频, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
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