类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 5000 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 300 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 15 V |
最小电流放大倍数 | 65 @15mA, 10V |
最大电流放大倍数 | 40 |
额定功率(Max) | 300 mW |
直流电流增益(hFE) | 90 |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | 175℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
13 页 / 0.26 MByte
NXP(恩智浦)
39 页 / 0.75 MByte
NXP(恩智浦)
23 页 / 0.95 MByte
NXP(恩智浦)
72 页 / 3.63 MByte
NXP(恩智浦)
BFR92 NPN三极管 20V 25mA 5GHz 90 SOT-23/SC-59 marking/标记 P1 射频宽带放大器
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFR92PE6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 100 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
NXP(恩智浦)
BFR92A,215 , NPN 射频双极晶体管, 0.025 A, Vce=15 V, HFE:40, 5000 MHz, 3针 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
BFR92P NPN三极管 20V 30mA 5GHz 40~200 SOT-23/SC-59 marking/标记 GF 宽带放大器
NXP(恩智浦)
NXP BFR92A 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE
NXP(恩智浦)
BFR92AW NPN三极管 20V 25mA 5GHz 90 SOT-323/SC-70 marking/标记 P2 混频器和振荡器
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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