集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 15V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 35mA
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 6Ghz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 90
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage|
●耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W
●Description & Applications| NPN 6 GHz wideband transistor Features Very high power gain Low noise figure Very low intermodulation distortion Applications RF wideband amplifiers and oscillators
●描述与应用| NPN6 GHz的宽带晶体管 特点 非常高的功率增益 低噪声系数 非常低的互调失真 应用 射频宽带放大器和振荡器
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
BFR93 NPN三极管 15V 35mA 5GHz 90 SOT-323/SC-70 marking/标记 R1P 射频宽带放大器和振荡器
NXP（恩智浦）
NXP BFR93A,215 , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:40, 6000 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Infineon（英飞凌）
Infineon BFR93AWH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 90 mA, Vce=20 V, HFE:70, 6 MHz, 3引脚 SOT-23封装
NXP（恩智浦）
NXP BFR93A 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE
Infineon（英飞凌）
Infineon### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
Infineon BFR93AE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 90 mA, Vce=12 V, HFE:70, 6000 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Infineon（英飞凌）
Infineon### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
BFR93AW NPN三极管 20V 50mA 6Ghz 50~200 SOT-323/SC-70 marking/标记 R2 RF放大器，混频器和振荡器
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