集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 18mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 9Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| NPN 9 GHz wideband transistor FEATURES Low current consumption High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability SOT323 envelope. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT323 envelope.It is intended for low power amplifiers, oscillators and mixers particularly in RF portable communication equipment (cellular phones, cordless phones, pagers) up to 2 GHz. 描述与应用| NPN9 GHz的宽带晶体管 特点 低电流消耗 高功率增益 低噪声系数 高转换频率 黄金金属确保卓越的可靠性 SOT323信封。 说明 NPN晶体管在一个塑料SOT323 envelope.It适用于低功率的放大器, 特别是在RF便携式通信设备(手机,无绳电话,寻呼机)高达2 GHz的振荡器和混频器。
NXP(恩智浦)
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