| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-236 |
| 最小电流放大倍数 | 50 |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 32 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 8V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 5V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 6.5mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 2.3GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 30mW Description & Applications| NPN 2 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 envelope. It is primarily intended for use in RF low power amplifiers, such as in pocket phones, paging systems, etc.The transistor features low current consumption (100 uA to 1 mA); due to its high transition frequency, it also has excellent wideband properties and low noise up to high frequencies. 描述与应用| 2 GHz的宽带晶体管NPN 说明 NPN晶体管在一个塑料SOT23信封。 它的主要目的是利用低功耗射频放大器，如在口袋里的手机，传呼系统等。晶体管具有低电流消耗（100uA到1 mA），由于其高转换频率，它还具有优异的宽带性能和低噪声高频率。
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NXP BFT25 晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE
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NXP BFT25A,215. 射频宽带晶体管, NPN, 5V, 5GHZ, 3-SOT-23
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晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE
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BFT25A NPN三极管 8V 6.5mA 2.3GHz 40 SOT-23/SC-59 marking/标记 V10 低功耗射频放大器
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