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BGT24MTR12E6327XUSA1 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
RF射频器件
封装:
QFN
PDF文件:
BGT24MTR12E6327XUSA1 数据手册 (28 页)
引脚图
在
17 页
Hot
封装尺寸
在
26 页
典型应用电路图
在
23 页
原理图
在
8 页
15 页
16 页
17 页
18 页
19 页
20 页
21 页
22 页
23 页
Pictures:
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符号图
焊盘图
引脚图
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BGT24MTR12E6327XUSA1 数据手册
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BGT24MTR12E6327XUSA1 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
32 Pin
封装
QFN
功耗
1050 mW
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1050 mW
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BGT24MTR12E6327XUSA1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 105℃
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BGT24MTR12E6327XUSA1 符合标准
BGT24MTR12E6327XUSA1 海关信息
BGT24MTR12E6327XUSA1 数据手册
BGT24MTR12E6327XUSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
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BGT24MTR12E6327XUSA1
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