Datasheet 搜索 > 晶体管 > NXP（恩智浦） > BLF245B,112 Datasheet 文档
BLF245B,112
来自 AiPCBA

BLF245B,112 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:晶体管
封装:SOT-279-5
PDF文件:BLF245B,112 数据手册 (14 页)引脚图在2 页Hot
封装尺寸在12 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BLF245B,112 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BLF245B,112 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率175 MHz
引脚数5 Pin
额定电流4.5 A
封装SOT-279-5
漏源极电阻1.5 Ω
功耗75 W
阈值电压4.5 V
漏源击穿电压65 V
输出功率30 W
增益18 dB
测试电流25 mA
输入电容值(Ciss)60pF @28V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)65 ℃
耗散功率(Max)75000 mW
查看数据手册 >

BLF245B,112 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度24.9 mm
宽度5.97 mm
高度6.84 mm
查看数据手册 >

BLF245B,112 数据手册

BLF245B,112 数据手册
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.19 MByte

BLF245 数据手册

BLF245 数据手册
Philips（飞利浦）
BLF245 数据手册
NXP（恩智浦）
VHF功率MOS晶体管 VHF power MOS transistor
BLF245 数据手册
Advanced Semiconductor
MOSFET晶体管 RF Transistor
BLF245 数据手册
Ampleon USA
BLF245,112 数据手册
NXP（恩智浦）
BLF245B 数据手册
NXP（恩智浦）
甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor
BLF245B,112 数据手册
NXP（恩智浦）
BLF245112 数据手册
NXP（恩智浦）
BLF245,112 数据手册
Ampleon USA
BLF245B,112 数据手册
Ampleon USA
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: BLF245 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet