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BLF368
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BLF368 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:晶体管
封装:SOT-262
描述:甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor
PDF文件:BLF368 数据手册 (18 页)
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BLF368 数据手册 (18 页)
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BLF368 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数5 Pin
电源电压32.0 V
额定电压(DC)65.0 V
额定电流25.0 A
封装SOT-262
漏源极电阻150 mΩ
功耗500 W
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)65.0 V
漏源击穿电压65 V
连续漏极电流(Ids)25.0 A
上升时间15 ns
输出功率300 W
增益13.5 dB
输入电容值(Ciss)495pF @32V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)65 ℃
耗散功率(Max)500000 mW
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BLF368 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
长度34.17 mm
宽度10.29 mm
高度5.77 mm
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BLF368 数据手册

BLF368 数据手册
NXP（恩智浦）
18 页 / 0.14 MByte
BLF368 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
18 页 / 0.21 MByte
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