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BLT81,115
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BLT81,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:双极性晶体管
封装:TO-261-4
描述:NXP  BLT81,115  晶体管 双极-射频, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE
PDF文件:BLT81,115 数据手册 (13 页)封装尺寸在10 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BLT81,115 数据手册 (13 页)
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BLT81,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
电源电压7.50 V
封装TO-261-4
针脚数3 Position
极性NPN
功耗2 W
输出功率1.2 W
击穿电压(集电极-发射极)9.5 V
增益8 dB
最小电流放大倍数25 @300mA, 5V
最大电流放大倍数25
额定功率(Max)2 W
直流电流增益(hFE)25
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
电源电压6 V
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BLT81,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6.7 mm
宽度3.7 mm
高度1.7 mm
工作温度175℃ (TJ)
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BLT81,115 数据手册

BLT81,115 数据手册
NXP（恩智浦）
13 页 / 0.07 MByte
BLT81,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
13 页 / 0.07 MByte
BLT81,115 开发手册
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.58 MByte
BLT81,115 产品修订记录
NXP（恩智浦）
72 页 / 3.63 MByte
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