| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 70.0 V |
| 工作电压 | 5.00 V |
| 封装 | TO-206 |
| 额定功率 | 0.25 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 波长 | 850 nm |
| 视角 | 20° |
| 峰值波长 | 850 nm |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 250 mW |
| 功耗 | 250 mW |
| 上升时间 | 6 µs |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 70 V |
| 额定功率(Max) | 250 mW |
| 下降时间 | 5 µs |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 高度 | 6.15 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
BPW77NA 和 BPW77NB 系列光电晶体管
●Vishay Semiconductor BPW77NA 和 BPW77NB 是一个硅 NPN 光电晶体管系列。 它们采用 TO-18 等级密封，带玻璃透镜。 BPW77NA 和 BPW77NB 光电晶体管为对可见光和近红外辐射敏感。 它们特别适合用作电子控制和驱动电路中的检测器。
●BPW77NA 和 BPW77NB 光电晶体管的特征：
●TO-18 封装
●4.7mm 直径
●通孔安装
●光敏性高
●高辐射灵敏度
●快速响应时间
●工作温度：-40 至 +125 °C
●### 红外光电晶体管，Vishay Semiconductor
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硅NPN光电晶体管 Silicon NPN Phototransistor
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850 nm ± 10° 窄角 光电 灵敏度 硅 NPN 光电晶体管 - TO-18
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BPW77NA 和 BPW77NB 系列光电晶体管Vishay Semiconductor BPW77NA 和 BPW77NB 是一个硅 NPN 光电晶体管系列。 它们采用 TO-18 等级密封，带玻璃透镜。 BPW77NA 和 BPW77NB 光电晶体管为对可见光和近红外辐射敏感。 它们特别适合用作电子控制和驱动电路中的检测器。 BPW77NA 和 BPW77NB 光电晶体管的特征： TO-18 封装 4.7mm 直径 通孔安装 光敏性高 高辐射灵敏度 快速响应时间 工作温度：-40 至 +125 °C### 红外光电晶体管，Vishay Semiconductor
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VISHAY BPW77NA 光电三极管, NPN, 3-TO-18
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VISHAY BPW77NB 硅光电晶体管, NPN
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硅NPN光电晶体管 Silicon NPN Phototransistor
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