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来自 AiPCBA
BQ4010LYMA-70N 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
存储芯片
封装:
DIP
描述:
为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
PDF文件:
BQ4010LYMA-70N 数据手册 (16 页)
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在
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封装尺寸
在
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原理图
在
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BQ4010LYMA-70N 数据手册 (16 页)
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BQ4010LYMA-70N 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
28 Pin
电源电压
3.30 V
封装
DIP
供电电流
30 mA
存取时间
70.0 ns
内存容量
8000 B
存取时间(Max)
70 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3.3 V
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BQ4010LYMA-70N 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tray
查看数据手册 >
BQ4010LYMA-70N 符合标准
BQ4010LYMA-70N 海关信息
BQ4010LYMA-70N 数据手册
BQ4010LYMA-70N
数据手册
TI(德州仪器)
16 页 / 0.34 MByte
BQ4010LYMA-70N
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
60 页 / 0.14 MByte
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为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
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