| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 28 Pin |
| 电源电压 | 5.00 V |
| 封装 | DIP-28 |
| 供电电流 | 50 mA |
| 时钟频率 | 85.0 GHz |
| 存取时间 | 85 ns |
| 内存容量 | 64000 B |
| 存取时间(Max) | 85 ns |
| 工作温度(Max) | 70 ℃ |
| 工作温度(Min) | 0 ℃ |
| 电源电压 | 4.75V ~ 5.5V |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 4.75 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 37.72 mm |
| 宽度 | 18.42 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | 0℃ ~ 70℃ (TA) |
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb（8K x 8） 并联 28-DIP 模块（18.42x37.72）
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
TI（德州仪器）
8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM
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为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
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为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
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为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
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