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BR93L56RFVM-WTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:	ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:	EEPROM芯片
封装:	MSOP-8
描述:	串行EEPROM系列高可靠性系列微丝EEPROMS总线●说明BR93L□□-W系列，BR93A□□-WM系列串行EEPROM的3线串行接口方法串行EEPROM系列高可靠性系列微丝EEPROMS总线描述BR93L□□-W系列，BR93A□□-WM..
PDF文件:	BR93L56RFVM-WTR 数据手册 (38 页)引脚图在5 页Hot 封装尺寸在26 页 27 页 28 页 29 页 30 页 31 页 32 页典型应用电路图在37 页原理图在5 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

BR93L56RFVM-WTR 数据手册 (38 页)

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BR93L56RFVM-WTR 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
频率	2 MHz
引脚数	8 Pin
电源电压	5.00 V, 5.50 V (max)
封装	MSOP-8
供电电流	4.5 mA
时钟频率	2.00 MHz, 2.00 MHz (max)
存取时间	200 ns
内存容量	2000 B
存取时间(Max)	200 ns
工作温度(Max)	85 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
电源电压	1.8V ~ 5.5V
电源电压(Max)	5.5 V
电源电压(Min)	1.8 V

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BR93L56RFVM-WTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	-40℃ ~ 85℃ (TA)

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BR93L56RFVM-WTR 符合标准

BR93L56RFVM-WTR 概述

存储器格式Format - Memory| EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial \---|--- 存储器类型Memory Type| EEPROM 存储容量Memory Size| 2K (128 x 16) 速度Speed| 2MHz 接口Interface| Microwire 3 线串行 Microwire, 3-Wire Serial 电源电压Voltage - Supply| 1.8 V ~ 5.5 V Description & Applications| Serial EEPROM Series High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS

●Description BR93L□□-W Series, BR93A□□-WM Series are serial EEPROM of serial 3-line interface method Serial EEPROM Series High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS Description BR93L□□-W Series, BR93A□□-WM Series are serial EEPROM of serial 3-line interface method Features 1) 128 registers × 8 bits serial architecture. 2) Single power supply (1.8V to 5.5V). 3) Two wire serial interface. 4) Self-timed write cycle with automatic erase. 5) 8 byte page write mode. 6) Low power consumption. Write (5V) : 1.2mA (Typ.) Read (5V) : 0.2mA (Typ.) Standby (5V) : 0.1µA (Typ.) 7) DATA security Write protect feature (WP pin) . Inhibit to WRITE at low VCC. 8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8 9) High reliability EEPROM with Double-Cell Structure 10) High reliability fine pattern CMOS technology. 11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles 12) Data retention : 40 years 13) Filtered inputs in SCL•SDA for noise suppression. 14) Initial data FFh in all address. 描述与应用| 串行EEPROM系列高可靠性系列微丝EEPROMS总线

●说明 BR93L□□-W系列，BR93A□□-WM系列串行EEPROM的3线串行接口方法串行EEPROM系列高可靠性系列微丝EEPROMS总线描述 BR93L□□-W系列，BR93A□□-WM系列串行EEPROM的3线串行接口方法 1）128个寄存器×8位串行架构。 2）单电源（1.8V至5.5V）。 3）两线串行接口。 4）自定时写周期自动擦除。 5）8字节页写模式。 6）低功耗。写（5V）：1.2毫安（典型值）阅读（5V）：0.2毫安（典型值）待机（5V）：0.1μA（典型值） 7）数据安全写保护功能（WP引脚）。抑制低VCC写。 8）小包装--- DIP8/ SOP8/ SOP-J8/ SSOP-B8/ MSOP-8 9）高可靠性的EEPROM的双单元结构 10）高可靠性的精细图案CMOS技术。 11）耐力：1,000,000擦除/写周期 12）数据可保持40年 13）过滤投入SCL•SDA噪声抑制。 14）初始数据FFh的所有地址

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