| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 250 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 漏源极电阻 | 6.40 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 250 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 60pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 250毫安， 200伏 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts
Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号晶体管 SIPMOS Small-Signal Transistor
Diodes（美台）
N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BS107ARL1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 250mA TO-92
Diodes（美台）
BS107 系列 200 V 23 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET -TO-92
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 250毫安， 200伏 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts
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