| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 250 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 额定功率 | 800 mW |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 输入电容 | 150 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 250 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 150pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
17 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 250毫安， 200伏特，逻辑电平 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level
Vishay Semiconductor（威世）
DMOS晶体管（ N沟道） DMOS Transistors (N-Channel)
NXP（恩智浦）
N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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