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BS108ZL1
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BS108ZL1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-92-3
描述:N沟道TO-92-3封装场效应管
PDF文件:BS108ZL1 数据手册 (3 页)封装尺寸在3 页
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BS108ZL1 数据手册 (3 页)
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BS108ZL1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)200 V
额定电流250 mA
封装TO-92-3
漏源极电阻8.00 Ω
极性N-Channel
功耗350 mW
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)250 mA
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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BS108ZL1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Ammo Pack
长度5.2 mm
宽度4.19 mm
高度5.33 mm
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BS108ZL1 数据手册

BS108ZL1 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.08 MByte
BS108ZL1 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.09 MByte

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