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BS170
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BS170 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-92-3
描述:N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流500 mA
封装TO-92-3
针脚数3 Position
漏源极电阻1.2 Ω
极性N-Channel
功耗830 mW
阈值电压2.1 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)500 mA
输入电容值(Ciss)40pF @10V(Vds)
额定功率(Max)830 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)830 mW
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BS170 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
长度5.2 mm
宽度4.19 mm
高度5.33 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BS170 数据手册

BS170 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
14 页 / 1.26 MByte
BS170 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
15 页 / 1.26 MByte
BS170 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.02 MByte
BS170 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
3 页 / 0.48 MByte
BS170 产品手册
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.19 MByte
BS170 其他参考文件
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.14 MByte
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