类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | TO-226-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 5 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 350 mW |
阈值电压 | 2.1 V |
输入电容 | 60.0 pF |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
输入电容值(Ciss) | 60pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 830 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
●### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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