| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 150 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 0.33 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 150 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 60pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 330 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 330mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
表面贴装型 N 通道 60 V 0.15mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Diodes（美台）
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
NXP（恩智浦）
N沟道垂直D- MOS晶体管 N-channel vertical D-MOS transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号晶体管（ N沟道增强模式的逻辑电平） SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
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