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BS170FTA
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BS170FTA 技术参数、封装参数

BS170FTA 外形尺寸、物理参数、其它

BS170FTA 数据手册

Diodes(美台)
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BS170 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
Fairchild(飞兆/仙童)
N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Diodes(美台)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
NTE Electronics
NXP(恩智浦)
N沟道垂直D- MOS晶体管 N-channel vertical D-MOS transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Vishay Siliconix
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号晶体管( N沟道增强模式的逻辑电平) SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
Motorola(摩托罗拉)
LiteOn(光宝)
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