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BSB012NE2LXI
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BSB012NE2LXI 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:WDSON-2
描述:25V,1.2mΩ,170A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:BSB012NE2LXI 数据手册 (14 页)
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BSB012NE2LXI 数据手册 (14 页)
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BSB012NE2LXI 技术参数、封装参数

类型描述
封装WDSON-2
额定功率57 W
极性N-CH
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)37A
上升时间6.4 ns
下降时间4.8 ns
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BSB012NE2LXI 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.35 mm
宽度5.05 mm
高度0.7 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃
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BSB012NE2LXI 数据手册

BSB012NE2LXI 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.31 MByte
BSB012NE2LXI 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSB012NE2LXI 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
44 页 / 3.69 MByte
BSB012NE2LXI 开发手册
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37 页 / 2.01 MByte

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