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BSB044N08NN3GXUMA1
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BSB044N08NN3GXUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:REEL
描述:INFINEON  BSB044N08NN3GXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 80 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2.8 V
PDF文件:BSB044N08NN3GXUMA1 数据手册 (11 页)封装尺寸在1 页8 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BSB044N08NN3GXUMA1 数据手册 (11 页)
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BSB044N08NN3GXUMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装REEL
额定功率78 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0037 Ω
极性N-Channel
功耗78 W
阈值电压2.8 V
漏源极电压(Vds)80 V
连续漏极电流(Ids)18A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)4300pF @40V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)2200 mW
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BSB044N08NN3GXUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-40℃ ~ 150℃
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BSB044N08NN3GXUMA1 数据手册

BSB044N08NN3GXUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.87 MByte
BSB044N08NN3GXUMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSB044N08NN3GXUMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
95 页 / 1.21 MByte
BSB044N08NN3GXUMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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INFINEON  BSB044N08NN3GXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 80 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2.8 V
BSB044N08NN3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSB044N08NN3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 80 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2.8 V
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