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BSC009NE2LS5ATMA1
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BSC009NE2LS5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:BSC009NE2LS5ATMA1 数据手册 (13 页)
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BSC009NE2LS5ATMA1 数据手册 (13 页)
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BSC009NE2LS5ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
额定功率74 W
通道数1 Channel
针脚数8 Position
极性N-CH
功耗74 W
阈值电压1.2 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)41A
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)3900pF @12V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta), 74W (Tc)
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BSC009NE2LS5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSC009NE2LS5ATMA1 数据手册

BSC009NE2LS5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.5 MByte
BSC009NE2LS5ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC009NE2LS5ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
BSC009NE2LS5ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
BSC009NE2LS5ATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.19 MByte

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