| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TDSON-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 96 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 37A |
| 上升时间 | 9.2 ns |
| 正向电压(Max) | 0.7 V |
| 输入电容值(Ciss) | 4300pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 96 W |
| 下降时间 | 6.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.9 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 1.27 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
●OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
●N 通道 - 增强模式
●符合汽车 AEC Q101 规格
●MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
●175°C 工作温度
●绿色封装（无铅）
●超低 Rds(on)
Infineon（英飞凌）
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INFINEON BSC011N03LSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
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INFINEON BSC011N03LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
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INFINEON BSC011N03LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
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Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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