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BSC011N03LSIATMA1
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BSC011N03LSIATMA1 数据手册 (10 页)
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BSC011N03LSIATMA1 技术参数、封装参数

BSC011N03LSIATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

BSC011N03LSIATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.72 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSC011N03 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC011N03LSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC011N03LSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC011N03LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
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