Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > BSC018N04LS G Datasheet 文档
BSC018N04LS G
来自 AiPCBA

BSC018N04LS G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TDSON-8
描述:N沟道 40V 100A
PDF文件:BSC018N04LS G 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSC018N04LS G 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSC018N04LS G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装TDSON-8
通道数1 Channel
漏源极电阻1.5 mΩ
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压1.2 V
漏源极电压(Vds)40 V
漏源击穿电压40 V
上升时间7.4 ns
输入电容值(Ciss)12000pF @20V(Vds)
额定功率(Max)125 W
下降时间9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
查看数据手册 >

BSC018N04LS G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

BSC018N04LS G 数据手册

BSC018N04LS G 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.35 MByte
BSC018N04LS G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC018N04LS G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSC018N04LS G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC018N04 数据手册

BSC018N04LSGATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 40V 100A 30A
BSC018N04LS G 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 40V 100A
BSC018N04LSG 数据手册
Infineon（英飞凌）
40V,100A,N沟道功率MOSFET
BSC018N04LSGXT 数据手册
Infineon（英飞凌）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet