| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TDSON-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 1.8 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 69 W |
| 阈值电压 | 1.2V ~ 2V |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | 25 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 29A |
| 上升时间 | 4.4 ns |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.9 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 1.27 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
25V,1.8mΩ,100A,N沟道功率MOSFET
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