| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TDSON-8 |
| 额定功率 | 83 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0025 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 2.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 38 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2700pF @30V(Vds) |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.1 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.46 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
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Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC028N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
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INFINEON BSC028N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC028N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC028N06LS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V
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60V,100A,N沟道功率MOSFET,带逻辑电平
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V
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