Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > BSC032NE2LSATMA1 Datasheet 文档
BSC032NE2LSATMA1
来自 AiPCBA

BSC032NE2LSATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 25 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2 V
PDF文件:BSC032NE2LSATMA1 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSC032NE2LSATMA1 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSC032NE2LSATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
额定功率37 W
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻2.7 mΩ
极性N-CH
功耗37 W
阈值电压1.2 V
漏源极电压(Vds)25 V
漏源击穿电压25 V
连续漏极电流(Ids)22A
上升时间2.8 ns
输入电容值(Ciss)1200pF @12V(Vds)
下降时间2.2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 78W (Tc)
查看数据手册 >

BSC032NE2LSATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BSC032NE2LSATMA1 数据手册

BSC032NE2LSATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.73 MByte
BSC032NE2LSATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC032NE2LSATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSC032NE2LSATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC032NE2 数据手册

BSC032NE2LSATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 25 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2 V
BSC032NE2LS 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet