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BSC036NE7NS3 G
来自 AiPCBA

BSC036NE7NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:INFINEON  BSC036NE7NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
PDF文件:BSC036NE7NS3 G 数据手册 (9 页)
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BSC036NE7NS3 G 数据手册 (9 页)
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BSC036NE7NS3 G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0029 Ω
极性N-Channel
功耗156 W
阈值电压3.1 V
漏源极电压(Vds)75 V
上升时间18 ns
输入电容值(Ciss)4400pF @37.5V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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BSC036NE7NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSC036NE7NS3 G 数据手册

BSC036NE7NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.57 MByte
BSC036NE7NS3 G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC036NE7NS3 G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSC036NE7NS3 G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC036NE7NS3 数据手册

BSC036NE7NS3 数据手册
Infineon（英飞凌）
BSC036NE7NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSC036NE7NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
BSC036NE7NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSC036NE7NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
BSC036NE7NS3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
75V,100A,3.6mΩ,N沟道MOSFET
BSC036NE7NS3GXT 数据手册
Infineon（英飞凌）
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