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BSC040N10NS5ATMA1
来自 AiPCBA

BSC040N10NS5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:BSC040N10NS5ATMA1 数据手册 (12 页)
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焊盘图
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BSC040N10NS5ATMA1 数据手册 (12 页)
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BSC040N10NS5ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
额定功率104 W
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0034 Ω
极性N-Channel
功耗139 W
阈值电压2.2 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)100A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)5300pF @50V(Vds)
额定功率(Max)2.5 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta), 139W (Tc)
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BSC040N10NS5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSC040N10NS5ATMA1 数据手册

BSC040N10NS5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.2 MByte
BSC040N10NS5ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC040N10NS5ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
58 页 / 1.14 MByte
BSC040N10NS5ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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