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BSC0501NSIATMA1
来自 AiPCBA

BSC0501NSIATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:BSC0501NSIATMA1 数据手册 (13 页)
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BSC0501NSIATMA1 数据手册 (13 页)
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BSC0501NSIATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装PG-TDSON-8
额定功率50 W
极性N-CH
功耗2.5W (Ta), 50W (Tc)
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)100A
上升时间4 ns
输入电容值(Ciss)2200pF @15V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta), 50W (Tc)
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BSC0501NSIATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSC0501NSIATMA1 数据手册

BSC0501NSIATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.51 MByte
BSC0501NSIATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC0501NSIATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSC0501NSIATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC0501 数据手册

BSC0501NSIATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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场效应管(MOSFET) BSC0501NSI PowerTDFN-8
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