| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TDSON-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 4.2 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 50 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2800pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 50 W |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.9 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 1.27 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V
●OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
●快速切换 MOSFET，用于 SMPS
●优化技术，用于直流/直流转换器
●符合目标应用的 JEDEC1 规格
●N 通道，逻辑电平
●极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
●极低导通电阻 R DS(on)
●无铅电镀
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC050N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V 新
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1 V
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INFINEON BSC050N03LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
OptiMOSâ ?? ¢ 3功率MOSFET OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET
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IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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