| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TDSON-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0041 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 83 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 139 nS |
| 输入电容值(Ciss) | 6020pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 34 nS |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.1 mm |
| 宽度 | 5.35 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V
●OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
●快速切换 MOSFET，用于 SMPS
●优化技术，用于直流/直流转换器
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●N 通道，逻辑电平
●极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
●极低导通电阻 R DS(on)
●无铅电镀
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INFINEON BSC060P03NS3EGATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V
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INFINEON BSC060P03NS3E G 晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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