类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | TDSON |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.5 W |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
上升时间 | 2.8 ns |
输入电容值(Ciss) | 1300pF @15V(Vds) |
下降时间 | 2.6 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2500 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MSGATMA1, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSC080N03LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSC080N03MS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 6.7 mohm, 10 V, 1 V
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