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BSC0911ND
来自 AiPCBA

BSC0911ND 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TISON-8
描述:INFINEON  BSC0911ND  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 1.6 V
PDF文件:BSC0911ND 数据手册 (14 页)封装尺寸在12 页
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焊盘图
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BSC0911ND 数据手册 (14 页)
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BSC0911ND 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装TISON-8
针脚数8 Position
极性Dual N-Channel
功耗2.5 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)18A/30A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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BSC0911ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSC0911ND 数据手册

BSC0911ND 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 0.72 MByte
BSC0911ND 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC0911ND 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSC0911ND 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC0911 数据手册

BSC0911NDATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSC0911NDATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 1.6 V
BSC0911ND 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSC0911ND  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 1.6 V
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