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BSC0925ND
来自 AiPCBA

BSC0925ND 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TISON
描述:30V,5mΩ,40A,双N沟道功率MOSFET
PDF文件:BSC0925ND 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页
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BSC0925ND 数据手册 (10 页)
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BSC0925ND 技术参数、封装参数

类型描述
封装TISON
极性N-CH
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)15A
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BSC0925ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSC0925ND 数据手册

BSC0925ND 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.61 MByte
BSC0925ND 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC0925ND 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
BSC0925ND 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC0925 数据手册

BSC0925NDATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
2个N沟道 30V 15A
BSC0925ND 数据手册
Infineon（英飞凌）
30V,5mΩ,40A,双N沟道功率MOSFET
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