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BSC0925NDATMA1
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BSC0925NDATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TISON-8
描述:2个N沟道 30V 15A
PDF文件:BSC0925NDATMA1 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
BSC0925NDATMA1 数据手册 (10 页)
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BSC0925NDATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TISON-8
额定功率30 W
极性N-CH
功耗2.5 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)15A
上升时间3.8 ns
输入电容值(Ciss)1157pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2.5 W
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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BSC0925NDATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSC0925NDATMA1 数据手册

BSC0925NDATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.61 MByte
BSC0925NDATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC0925NDATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
BSC0925NDATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC0925 数据手册

BSC0925NDATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
2个N沟道 30V 15A
BSC0925ND 数据手册
Infineon（英飞凌）
30V,5mΩ,40A,双N沟道功率MOSFET
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