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BSC093N15NS5ATMA1
来自 AiPCBA

BSC093N15NS5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 87 A, 150 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3.8 V
PDF文件:BSC093N15NS5ATMA1 数据手册 (10 页)
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BSC093N15NS5ATMA1 数据手册 (10 页)
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BSC093N15NS5ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0079 Ω
极性N-CH
功耗139 W
阈值电压3.8 V
输入电容3230 pF
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)87A
上升时间4.3 ns
输入电容值(Ciss)3230pF @75V(Vds)
下降时间3.8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)139W (Tc)
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BSC093N15NS5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSC093N15NS5ATMA1 数据手册

BSC093N15NS5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 1.02 MByte
BSC093N15NS5ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC093N15NS5ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
59 页 / 4.26 MByte
BSC093N15NS5ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC093N15NS5 数据手册

BSC093N15NS5 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 150V 87A
BSC093N15NS5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 87 A, 150 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3.8 V
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