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BSC098N10NS5
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BSC098N10NS5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TDSON-8
描述:100V,9.8mΩ,60A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:BSC098N10NS5 数据手册 (12 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
BSC098N10NS5 数据手册 (12 页)
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BSC098N10NS5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装TDSON-8
通道数1 Channel
漏源极电阻8.2 mΩ
极性N-CH
功耗69 W
阈值电压2.2 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)60A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)1600pF @50V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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BSC098N10NS5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSC098N10NS5 数据手册

BSC098N10NS5 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.19 MByte
BSC098N10NS5 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC098N10NS5 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSC098N10NS5 开发手册
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37 页 / 2.01 MByte

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