类型 | 描述 |
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封装 | TDSON |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 63A |
Infineon(英飞凌)
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC109N10NS3GATMA1, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
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INFINEON BSC109N10NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 2.7 V
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