| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TSDSON |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 10 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 114 W |
| 阈值电压 | 1.85 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3700pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 114 W |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 114 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.35 mm |
| 宽度 | 6.1 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
●Infineon
● OptiMOS™2
● N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。
●OptiMOS 2
● 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.66 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC123N10LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 1.85 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC123N10LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 1.85 V
Infineon（英飞凌）
100V,12.3mΩ,71A,N沟道功率MOSFET
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