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BSC12DN20NS3G
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BSC12DN20NS3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TDSON-8
描述:OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor
PDF文件:BSC12DN20NS3G 数据手册 (10 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
BSC12DN20NS3G 数据手册 (10 页)
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BSC12DN20NS3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装TDSON-8
通道数1 Channel
漏源极电阻108 mΩ
极性N-Channel
功耗50 W
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)11.3A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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BSC12DN20NS3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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BSC12DN20NS3G 数据手册

BSC12DN20NS3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.3 MByte

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