| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TDSON-8 |
| 额定功率 | 60 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0139 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 2.7 V |
| 输入电容 | 1300 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.8A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.35 mm |
| 宽度 | 6.35 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.53 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.07 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC160N10NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0139 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC160N10NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0139 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon（英飞凌）
100V,16mΩ,42A,N沟道功率MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
