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BSC190N12NS3 G
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BSC190N12NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TDSON-8
描述:N沟道 120V 8.6A
PDF文件:BSC190N12NS3 G 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

BSC190N12NS3 G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装TDSON-8
通道数1 Channel
功耗69 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)120 V
上升时间16 ns
输入电容值(Ciss)2300pF @60V(Vds)
额定功率(Max)69 W
下降时间4 ns
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BSC190N12NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSC190N12NS3 G 数据手册

BSC190N12NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.66 MByte
BSC190N12NS3 G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC190N12NS3 G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.98 MByte
BSC190N12NS3 G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC190N12NS3 数据手册

BSC190N12NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 120 V, 0.0166 ohm, 10 V, 3 V
BSC190N12NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 120V 8.6A
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OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor
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