Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > BSC190N15NS3GATMA1 Datasheet 文档
BSC190N15NS3GATMA1
来自 AiPCBA

BSC190N15NS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:INFINEON  BSC190N15NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:BSC190N15NS3GATMA1 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSC190N15NS3GATMA1 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSC190N15NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
额定功率125 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.016 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间53 ns
输入电容值(Ciss)2420pF @75V(Vds)
额定功率(Max)125 W
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125W (Tc)
查看数据手册 >

BSC190N15NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.35 mm
宽度6.1 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BSC190N15NS3GATMA1 数据手册

BSC190N15NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.55 MByte
BSC190N15NS3GATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC190N15NS3GATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSC190N15NS3GATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
BSC190N15NS3GATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.07 MByte

BSC190N15NS3 数据手册

BSC190N15NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSC190N15NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
BSC190N15NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSC190N15NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
BSC190N15NS3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
150V,50A,N沟道功率MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet