| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TSON |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0177 Ω |
| 功耗 | 214 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2770pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 214000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, 表面安装
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